Diodes Incorporated - DMG3414UQ-7

KEY Part #: K6393791

DMG3414UQ-7 Цэнаўтварэнне (USD) [663036шт шт]

  • 1 pcs$0.05579
  • 3,000 pcs$0.05025

Частка нумар:
DMG3414UQ-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMG3414UQ-7. DMG3414UQ-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3414UQ-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMG3414UQ-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 829.9pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 780mW
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • FDD5680

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.