Vishay Siliconix - SI4490DY-T1-E3

KEY Part #: K6403317

SI4490DY-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [100757шт шт]

  • 1 pcs$0.38807
  • 2,500 pcs$0.30952

Частка нумар:
SI4490DY-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4490DY-T1-E3. SI4490DY-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4490DY-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI4490DY-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.85A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.56W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RFD12N06RLESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.

  • FQD12N20LTM-F085P

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 200V 280 MOHM.

  • FDD3706

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK.

  • FDD7N25LZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3.

  • FCD5N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FQD5P10TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK.