Vishay Siliconix - SIHG22N60AE-GE3

KEY Part #: K6398739

SIHG22N60AE-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [21062шт шт]

  • 1 pcs$1.95671
  • 10 pcs$1.74517
  • 100 pcs$1.43104
  • 500 pcs$1.09937
  • 1,000 pcs$0.92718

Частка нумар:
SIHG22N60AE-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHG22N60AE-GE3. SIHG22N60AE-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG22N60AE-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHG22N60AE-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Серыя : E
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1451pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 179W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AC
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • R5011FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM.

  • IPA80R280P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220.

  • R6009KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM.