Panasonic Electronic Components - MTM232270LBF

KEY Part #: K6418868

MTM232270LBF Цэнаўтварэнне (USD) [868834шт шт]

  • 1 pcs$0.04573
  • 3,000 pcs$0.04550

Частка нумар:
MTM232270LBF
Вытворца:
Panasonic Electronic Components
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Panasonic Electronic Components MTM232270LBF. MTM232270LBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MTM232270LBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MTM232270LBF
Вытворца : Panasonic Electronic Components
Апісанне : MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 290pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500mW (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SMini3-G1-B
Пакет / футляр : SC-70, SOT-323

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.