Powerex Inc. - CM200DX-24S

KEY Part #: K6532476

CM200DX-24S Цэнаўтварэнне (USD) [707шт шт]

  • 1 pcs$65.69504

Частка нумар:
CM200DX-24S
Вытворца:
Powerex Inc.
Падрабязнае апісанне:
IGBT MOD DUAL 1200V 200A NX SER.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Powerex Inc. CM200DX-24S. CM200DX-24S можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CM200DX-24S Атрыбуты прадукту

Частка нумар : CM200DX-24S
Вытворца : Powerex Inc.
Апісанне : IGBT MOD DUAL 1200V 200A NX SER
Серыя : IGBTMOD™
Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 200A
Магутнасць - Макс : 1500W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 20nF @ 10V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : Yes
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Module
Пакет прылад пастаўшчыка : Module
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.