IXYS - IXTN60N50L2

KEY Part #: K6404114

IXTN60N50L2 Цэнаўтварэнне (USD) [2499шт шт]

  • 1 pcs$18.19379
  • 10 pcs$16.82937
  • 25 pcs$15.46477
  • 100 pcs$14.37309
  • 250 pcs$13.19050

Частка нумар:
IXTN60N50L2
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTN60N50L2. IXTN60N50L2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN60N50L2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTN60N50L2
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
Серыя : Linear L2™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 53A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 610nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 24000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 735W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP0120ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

  • HUF75829D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

  • FQD11P06TF

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • FDD6696

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK.

  • IRLR3715PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

  • NP90N055VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 55V 90A TO-220.