Vishay Siliconix - SQ3425EV-T1_GE3

KEY Part #: K6405140

SQ3425EV-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [366462шт шт]

  • 1 pcs$0.10093
  • 3,000 pcs$0.09710

Частка нумар:
SQ3425EV-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQ3425EV-T1_GE3. SQ3425EV-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3425EV-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQ3425EV-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7.4A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10.3nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 840pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў