Частка нумар :
DMG4812SSS-13
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1849pF @ 15V
Функцыя FET :
Schottky Diode (Body)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.54W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)