Частка нумар :
BSZ160N10NS3GATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
8A (Ta), 40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 12µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
25nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1700pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TSDSON-8
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN