Частка нумар :
SIRA58ADP-T1-RE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 40V
Серыя :
TrenchFET® Gen IV
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
32.3A (Ta), 109A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
61nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3030pF @ 20V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8