EPC - EPC2030ENGRT

KEY Part #: K6406443

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах EPC EPC2030ENGRT. EPC2030ENGRT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : EPC2030ENGRT

Вытворца : EPC

Апісанне : GANFET NCH 40V 31A DIE

Серыя : eGaN®

Статус часткі : Active

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : GaNFET (Gallium Nitride)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 31A (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 30A, 5V

Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 16mA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 5V

Vgs (макс.) : +6V, -4V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1900pF @ 20V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : -

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет прылад пастаўшчыка : Die

Пакет / футляр : Die

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў