GeneSiC Semiconductor - 1N3881

KEY Part #: K6442940

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4. Rectifiers 200V 6A Fast Recovery

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 1N3881. 1N3881 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N3881

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 6A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.4V @ 6A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 200ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 15µA @ 50V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Chassis, Stud Mount

Пакет / футляр : DO-203AA, DO-4, Stud

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-4

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-8EWS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWF12STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VS-8EWF06STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.

Гарачыя часткі