Vishay Siliconix - SIZ322DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522484

SIZ322DT-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [252514шт шт]

  • 1 pcs$0.14648

Частка нумар:
SIZ322DT-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIZ322DT-T1-GE3. SIZ322DT-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ322DT-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIZ322DT-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Серыя : TrenchFET® Gen IV
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 25V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20.1nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 950pF @ 12.5V
Магутнасць - Макс : 16.7W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-PowerWDFN
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-Power33 (3x3)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў