Microsemi Corporation - APT20M38BVRG

KEY Part #: K6396217

APT20M38BVRG Цэнаўтварэнне (USD) [7878шт шт]

  • 1 pcs$5.78266
  • 40 pcs$5.75389

Частка нумар:
APT20M38BVRG
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - JFET, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT20M38BVRG. APT20M38BVRG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT20M38BVRG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT20M38BVRG
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
Серыя : POWER MOS V®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 67A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6120pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 370W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 [B]
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў