IXYS - IXTH200N10T

KEY Part #: K6409160

IXTH200N10T Цэнаўтварэнне (USD) [14773шт шт]

  • 1 pcs$3.06727
  • 10 pcs$2.75966
  • 100 pcs$2.26899
  • 500 pcs$1.90103
  • 1,000 pcs$1.65573

Частка нумар:
IXTH200N10T
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTH200N10T. IXTH200N10T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH200N10T Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTH200N10T
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Серыя : TrenchMV™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 200A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 9400pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 550W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 (IXTH)
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VP2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • PSMN8R0-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB.

  • SCT2120AFC

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB.

  • IRFS3004TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7.

  • IRF1404ZSTRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK.

  • NTB85N03

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK.