Частка нумар :
DMG7401SFGQ-7
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
9.8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
58nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2987pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
940mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerDI3333-8
Пакет / футляр :
8-PowerWDFN