Vishay Siliconix - SISA88DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396187

SISA88DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [450531шт шт]

  • 1 pcs$0.08210

Частка нумар:
SISA88DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3. SISA88DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISA88DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SISA88DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
Серыя : TrenchFET® Gen IV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 25.5nC @ 10V
Vgs (макс.) : +20V, -16V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 985pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.