Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET :
Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
30nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
-
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOIC