Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV28-050-TAP

KEY Part #: K6440211

BYV28-050-TAP Цэнаўтварэнне (USD) [215486шт шт]

  • 1 pcs$0.17251
  • 12,500 pcs$0.17165

Частка нумар:
BYV28-050-TAP
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BYV28-050-TAP. BYV28-050-TAP можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV28-050-TAP Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BYV28-050-TAP
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3.5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 5A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 30ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : SOD-64, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : SOD-64
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier

  • SE10FD-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FDHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier