Infineon Technologies - IDB30E120ATMA1

KEY Part #: K6440273

IDB30E120ATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [69605шт шт]

  • 1 pcs$0.56175
  • 1,000 pcs$0.40580
  • 2,000 pcs$0.37782
  • 5,000 pcs$0.37315

Частка нумар:
IDB30E120ATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IDB30E120ATMA1. IDB30E120ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDB30E120ATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IDB30E120ATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 50A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2.15V @ 30A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 243ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO263-3
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • SD175SA45A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A DIE.

  • SD175SC200A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 30A DIE.