RGP10JE-E3/54 Цэнаўтварэнне (USD) [1010386шт шт]
- 1 pcs$0.03661
- 11,000 pcs$0.03347
- Частка нумар:
- RGP10JE-E3/54
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 600 Volt 250ns
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10JE-E3/54. RGP10JE-E3/54 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RGP10JE-E3/54 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RGP10JE-E3/54
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Серыя :
SUPERECTIFIER®
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.3V @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
250ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-204AL (DO-41)
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
U1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM
Гарачыя часткі
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T