Central Semiconductor Corp - 1N4006 BK

KEY Part #: K6441865

[3329шт шт]


    Частка нумар:
    1N4006 BK
    Вытворца:
    Central Semiconductor Corp
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - JFET, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Central Semiconductor Corp 1N4006 BK. 1N4006 BK можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4006 BK Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : 1N4006 BK
    Вытворца : Central Semiconductor Corp
    Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 1A
    Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 800V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет / футляр : DO-204AL, DO-41, Axial
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-41
    Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • CDBDSC3650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

    • CDBDSC51200-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

    • VS-30EPH06-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

    • VS-E4PU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • VS-60APU06PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

    • VS-60APH03-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt