Diodes Incorporated - DMC1015UPD-13

KEY Part #: K6522901

DMC1015UPD-13 Цэнаўтварэнне (USD) [277874шт шт]

  • 1 pcs$0.13311
  • 2,500 pcs$0.11828

Частка нумар:
DMC1015UPD-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMC1015UPD-13. DMC1015UPD-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMC1015UPD-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMC1015UPD-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N and P-Channel
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9.5A, 6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15.6nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1495pF @ 6V
Магутнасць - Макс : 2.3W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerDI5060-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.