Rohm Semiconductor - RDX100N60FU6

KEY Part #: K6408409

RDX100N60FU6 Цэнаўтварэнне (USD) [637шт шт]

  • 1 pcs$2.70149
  • 10 pcs$2.41195
  • 100 pcs$1.97764
  • 500 pcs$1.60139

Частка нумар:
RDX100N60FU6
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RDX100N60FU6. RDX100N60FU6 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RDX100N60FU6 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RDX100N60FU6
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1600pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 45W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220FM
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў