Infineon Technologies - IRF5800TR

KEY Part #: K6413633

[13032шт шт]


    Частка нумар:
    IRF5800TR
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF5800TR. IRF5800TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF5800TR Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IRF5800TR
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
    Серыя : HEXFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 4A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 535pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : Micro6™(TSOP-6)
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • ZVNL110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.