Taiwan Semiconductor Corporation - TSM210N06CZ C0G

KEY Part #: K6401261

[3112шт шт]


    Частка нумар:
    TSM210N06CZ C0G
    Вытворца:
    Taiwan Semiconductor Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Тырыстары - SCR - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N06CZ C0G. TSM210N06CZ C0G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TSM210N06CZ C0G Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : TSM210N06CZ C0G
    Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
    Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 210A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 90A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 160nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7900pF @ 30V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 250W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220
    Пакет / футляр : TO-220-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • LND150N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • DN2530N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

    • AUIRLR024ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • IRFIBC30GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

    • SI1428EDH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6.

    • TPC8048-H(TE12L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.