Vishay Siliconix - IRFRC20TRRPBF

KEY Part #: K6405189

IRFRC20TRRPBF Цэнаўтварэнне (USD) [101554шт шт]

  • 1 pcs$0.38502
  • 3,000 pcs$0.34123

Частка нумар:
IRFRC20TRRPBF
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFRC20TRRPBF. IRFRC20TRRPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFRC20TRRPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFRC20TRRPBF
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 350pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D-Pak
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў