IXYS - IXFB82N60Q3

KEY Part #: K6395812

IXFB82N60Q3 Цэнаўтварэнне (USD) [3541шт шт]

  • 1 pcs$14.13668
  • 50 pcs$14.06634

Частка нумар:
IXFB82N60Q3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFB82N60Q3. IXFB82N60Q3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB82N60Q3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFB82N60Q3
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 82A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 13500pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1560W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PLUS264™
Пакет / футляр : TO-264-3, TO-264AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў