Частка нумар :
IPD90N04S4L04ATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
90A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.2V @ 35µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
60nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
4690pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
71W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO252-3-313
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63