Частка нумар :
IPG20N06S415ATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Статус часткі :
Discontinued at Digi-Key
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
29nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2260pF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
8-PowerVDFN
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TDSON-8-4