Littelfuse Inc. - LSIC1MO170E1000

KEY Part #: K6398406

LSIC1MO170E1000 Цэнаўтварэнне (USD) [12469шт шт]

  • 1 pcs$3.30525

Частка нумар:
LSIC1MO170E1000
Вытворца:
Littelfuse Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Littelfuse Inc. LSIC1MO170E1000. LSIC1MO170E1000 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LSIC1MO170E1000 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : LSIC1MO170E1000
Вытворца : Littelfuse Inc.
Апісанне : MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : SiCFET (Silicon Carbide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15nC @ 20V
Vgs (макс.) : +22V, -6V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 200pF @ 1000V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 54W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247-3L
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • SPA04N80C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.

  • RCX220N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 22A TO220.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.