Toshiba Semiconductor and Storage - TPH12008NH,L1Q

KEY Part #: K6420260

TPH12008NH,L1Q Цэнаўтварэнне (USD) [175791шт шт]

  • 1 pcs$0.22097
  • 5,000 pcs$0.21987

Частка нумар:
TPH12008NH,L1Q
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N CH 80V 24A SOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - JFET and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH,L1Q. TPH12008NH,L1Q можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH12008NH,L1Q Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TPH12008NH,L1Q
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N CH 80V 24A SOP
Серыя : U-MOSVIII-H
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 24A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1900pF @ 40V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOP Advance (5x5)
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў