Частка нумар :
VS-GT50TP120N
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
Канфігурацыя :
Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
100A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
5mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
6.24nF @ 30V
Працоўная тэмпература :
175°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет / футляр :
INT-A-PAK (3 + 4)
Пакет прылад пастаўшчыка :
INT-A-PAK