Частка нумар :
TK35A08N1,S4X
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
35A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
25nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1700pF @ 40V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
30W (Tc)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220SIS
Пакет / футляр :
TO-220-3 Full Pack