ON Semiconductor - FDC5612_F095

KEY Part #: K6413126

[13207шт шт]


    Частка нумар:
    FDC5612_F095
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - IGBT - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDC5612_F095. FDC5612_F095 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC5612_F095 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDC5612_F095
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT
    Серыя : PowerTrench®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.3A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.3A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 650pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SuperSOT™-6
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRFR3711ZTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 93A DPAK.

    • IRFR3710ZTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR3710ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR3710ZTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.