IXYS - IXTT3N200P3HV

KEY Part #: K6394746

IXTT3N200P3HV Цэнаўтварэнне (USD) [2527шт шт]

  • 1 pcs$18.85631
  • 10 pcs$17.44232
  • 100 pcs$14.89648

Частка нумар:
IXTT3N200P3HV
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTT3N200P3HV. IXTT3N200P3HV можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT3N200P3HV Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTT3N200P3HV
Вытворца : IXYS
Апісанне : 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 2000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1860pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 520W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-268
Пакет / футляр : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA