Microsemi Corporation - APTGL180A1202G

KEY Part #: K6532500

APTGL180A1202G Цэнаўтварэнне (USD) [1006шт шт]

  • 1 pcs$46.14016
  • 10 pcs$40.30525

Частка нумар:
APTGL180A1202G
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGL180A1202G. APTGL180A1202G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGL180A1202G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APTGL180A1202G
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : Trench Field Stop
Канфігурацыя : Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 220A
Магутнасць - Макс : 750W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 150A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 300µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SP2
Пакет прылад пастаўшчыка : SP2

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.