IXYS - IXFX64N60Q3

KEY Part #: K6397723

IXFX64N60Q3 Цэнаўтварэнне (USD) [3640шт шт]

  • 1 pcs$13.68125
  • 10 pcs$12.65597
  • 100 pcs$10.80893

Частка нумар:
IXFX64N60Q3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFX64N60Q3. IXFX64N60Q3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX64N60Q3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFX64N60Q3
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 64A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 9930pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1250W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PLUS247™-3
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.