Частка нумар :
STD25N10F7
Вытворца :
STMicroelectronics
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Серыя :
DeepGATE™, STripFET™ VII
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
25A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
14nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
920pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
40W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
DPAK
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63