STMicroelectronics - STD25N10F7

KEY Part #: K6418916

STD25N10F7 Цэнаўтварэнне (USD) [82592шт шт]

  • 1 pcs$0.47341
  • 2,500 pcs$0.41971

Частка нумар:
STD25N10F7
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STD25N10F7. STD25N10F7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD25N10F7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STD25N10F7
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Серыя : DeepGATE™, STripFET™ VII
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 25A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 920pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 40W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : DPAK
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў