Infineon Technologies - IPD135N03LGXT

KEY Part #: K6408494

[609шт шт]


    Частка нумар:
    IPD135N03LGXT
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPD135N03LGXT. IPD135N03LGXT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD135N03LGXT Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IPD135N03LGXT
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
    Серыя : OptiMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1000pF @ 15V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 31W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO252-3
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • TP0610KL-TR1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRFR3706CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 75A DPAK.

    • FDD6N50FTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK.

    • 2SK3068(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM.

    • 2SK2993(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM.

    • RDX120N50FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM.