Частка нумар :
DMG3415UFY4-7
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
16V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.5A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
281.9pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
400mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
DFN2015H4-3