Vishay Siliconix - SI4160DY-T1-GE3

KEY Part #: K6393466

SI4160DY-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [146217шт шт]

  • 1 pcs$0.25296
  • 2,500 pcs$0.23327

Частка нумар:
SI4160DY-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4160DY-T1-GE3. SI4160DY-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4160DY-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI4160DY-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 25.4A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2071pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)