Infineon Technologies - IPU80R2K8CEBKMA1

KEY Part #: K6402751

[2595шт шт]


    Частка нумар:
    IPU80R2K8CEBKMA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPU80R2K8CEBKMA1. IPU80R2K8CEBKMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPU80R2K8CEBKMA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IPU80R2K8CEBKMA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
    Серыя : CoolMOS™
    Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.9A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3.9V @ 120µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 290pF @ 100V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 42W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO251-3
    Пакет / футляр : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • AUIRFR540Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 100V 35A DPAK.

    • GP2M004A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.

    • GP2M004A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.

    • IRFR13N20DTRRP

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 13A DPAK.