Microchip Technology - TP2535N3-G

KEY Part #: K6399402

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microchip Technology TP2535N3-G. TP2535N3-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : TP2535N3-G

Вытворца : Microchip Technology

Апісанне : MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып FET : P-Channel

Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 350V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 86mA (Tj)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -

Vgs (макс.) : ±20V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 125pF @ 25V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 740mW (Ta)

Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Through Hole

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-92-3

Пакет / футляр : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў