Частка нумар :
SCT2H12NZGC11
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Тэхналогіі :
SiCFET (Silicon Carbide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
1700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
14nC @ 18V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
184pF @ 800V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
35W (Tc)
Працоўная тэмпература :
175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-3PFM
Пакет / футляр :
TO-3PFM, SC-93-3