Microsemi Corporation - 1N5619

KEY Part #: K6440935

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL. Rectifiers D MET 1A FAST 600V

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation 1N5619. 1N5619 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N5619

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.6V @ 3A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 250ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 600V

Ёмістасць @ Vr, F : 25pF @ 12V, 1MHz

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : A, Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : -

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
VS-E4PU3006L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
STTH3002PI

STMicroelectronics

DIODE GEN PURP 200V 30A DOP3I. Rectifiers Recovery Diode Ultra Fast
STTH8S06FP

STMicroelectronics

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2

Гарачыя часткі