Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J215FE(TE85L,F

KEY Part #: K6416056

SSM6J215FE(TE85L,F Цэнаўтварэнне (USD) [603363шт шт]

  • 1 pcs$0.06777
  • 4,000 pcs$0.06743

Частка нумар:
SSM6J215FE(TE85L,F
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE(TE85L,F. SSM6J215FE(TE85L,F можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J215FE(TE85L,F Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SSM6J215FE(TE85L,F
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Серыя : U-MOSVI
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.4A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10.4nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 630pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500mW (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : ES6
Пакет / футляр : SOT-563, SOT-666

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.