Частка нумар :
IPN60R600P7SATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 80µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
9nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
363pF @ 400V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
7W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-SOT223
Пакет / футляр :
TO-261-3