Microsemi Corporation - APT50GP60JDQ2

KEY Part #: K6534696

APT50GP60JDQ2 Цэнаўтварэнне (USD) [2902шт шт]

  • 1 pcs$14.92614
  • 16 pcs$14.92608

Частка нумар:
APT50GP60JDQ2
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
IGBT 600V 100A 329W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT50GP60JDQ2. APT50GP60JDQ2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GP60JDQ2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT50GP60JDQ2
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : IGBT 600V 100A 329W SOT227
Серыя : POWER MOS 7®
Статус часткі : Not For New Designs
Тып IGBT : PT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 100A
Магутнасць - Макс : 329W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 525µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 5.7nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOTOP®

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.