ON Semiconductor - FDD2670

KEY Part #: K6394609

FDD2670 Цэнаўтварэнне (USD) [94093шт шт]

  • 1 pcs$0.41763
  • 2,500 pcs$0.41555

Частка нумар:
FDD2670
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDD2670. FDD2670 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD2670 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDD2670
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.6A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1228pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63