Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3.6A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
43nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1228pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.2W (Ta), 70W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-252
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63